Boron-Containing PAH as a Substructure of Boron-Doped Graphene
C. Dou, S. Saito, K. Matsuo, I. Hisaki, S. Yamaguchi, Angew. Chem. Int. Ed., 51, 12206-12210 (2012).
[DOI: 10.1002/anie.201206699]
ホウ素ドープナノグラフェン
2012/10/18
ホウ素ドープグラフェン」は、高性能電子デバイスや、リチウムイオン電池の電極材料として、 近年ナノ科学分野で注目されている。しかし、従来の物理化学的合成法では、 分子量・形状・ドーピング率が揃っていない混合物が得られることから、 科学的な電子状態の解明には至っていない。今回我々は、ホウ素ドープナノグラフェンのモデル化合物としてホウ素を中心にもつ縮合多環式π電子系の合成に成功し、 その結晶構造、分子軌道、光物性、電気化学特性について詳細に解明することに成功した。 今後、有機半導体材料や、リチウムイオン電池の電極材料への応用に挑戦する。